（原标题：EUV光刻，被忽略的坚苦）

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重心追念：

跟着间距尺寸的减小，EUV 光刻靠近着电子拖沓、立时性和偏振的挑战。

电子拖沓导致的对比度损走嘴为 50%，显耀影响立时波动。

偏振效应正日益成为一个令东说念主担忧的问题，导致图像质地下落。

跟着间距的不休好像，电子拖沓、立时性和当前的偏振，王人在 EUV 光刻中产生越来越强的影响。

跟着 EUV 光刻时代的不休发展，策动是越来越小的间距，新的物理限度不休浮现，成为庞杂的崎岖。恒久以来，立时效应已被以为是环节挑战，而电子拖沓最近也获得了深刻缱绻 3，当前偏振效应正日益成为图像质地下落的一个令东说念主担忧的问题。跟着行业向 2nm 节点迈进，这些影响造成了一场齐备风暴，挟制着 EUV 印刷特征的质地。拖沓和偏振导致的对比度蚀本使得立时波动更有可能朝上印刷阈值。

图 1 娇傲了在 0.55 NA EUV 光刻系统上，18 nm 间距的偏振、拖沓和立时性的笼统影响。偶极子引起的衰减 6 被忽略，因为它是一个相对较小的影响。要是假定非偏振光 5，则对比度蚀本为 14%，股指期货配资但电子拖沓对加重图像中的立时电子算作的影响更为显耀（约 50% 的对比度蚀本）。总对比度蚀本是通过将偏振引起的对比度裁汰与电子拖沓引起的对比度裁汰相乘获得的。

图 1. 0.55 NA 13.5 nm 波长 EUV 光刻系统投影的 9 nm 半间距图像。不包括图像衰减 。右侧娇傲了假定的电子拖沓。中心处的立时电子密度图假定非偏振光（50% TE，50% TM）。假定使用 20 nm 厚的金属氧化物光刻胶（20/um 接纳）。

边际“精真金不怕火度”十分严重，足以被视为残障。立时波动朝上印刷阈值的概率不行忽略。跟着间距的减小，咱们应该预期这种情况会变得更糟，因为电子拖沓的影响愈加严重，以及非偏振光导致的对比度蚀本（图 2）。

图 2. 图像对比度的裁汰跟着间距的减小而恶化。电子密度中的立时波动也相应地变得愈加严重。除了间距以外，使用的假定与图 1 疏通。

请防范，即使关于 14 nm 间距的情况，从 TE 偏振到非偏振导致的 23% 的对比度蚀本仍然小于电子拖沓导致的对比度蚀本（约 60%）。跟着间距的不休减小，偏振的影响将增多，同期拖沓的影响也将增多。正如上述示例中提到的，尽管偏振被光刻界以为是日益令东说念主担忧的问题，但电子拖沓导致的对比度裁汰仍然更为显耀。因此，咱们必须预期对 EUV 特征可印刷性和立时图像波动的任何灵验的分析王人应包含一个实际的电子拖沓模子。

https://semiwiki.com/lithography/354401-a-perfect-storm-for-euv-lithography/

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